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公司動(dòng)態(tài)

一文讀懂芯片的焊接方式

發(fā)布時(shí)間:2024-03-08 發(fā)布時(shí)間:1246 發(fā)布時(shí)間:


一文讀懂芯片的焊接方式


隨著(zhù)科技的發(fā)展,半導體器件和組件在工程、商業(yè)上得到了廣泛的應用。它在雷達、遙控遙測、航空航天等的大量應用對其可靠性提出了較高的要求,其中芯片的焊接(粘貼)方式也是對其可靠性非常重要的一個(gè)環(huán)節。

芯片到封裝體的焊接是指半導體芯片與載體(封裝殼體或基片)之間形成牢固的、傳導性或者絕緣性的連接方法。焊接層除了為器件提供機械連接和電連接之外,還需為器件提供良好的散熱通道。下面將針對芯片的焊接或粘貼方式進(jìn)行一個(gè)詳細的說(shuō)明。


非導電連接


在芯片到封裝體的焊接,有時(shí)芯片的背面無(wú)需將其電性能引出,因此會(huì )用非導電膠黏住芯片起到固定芯片位置的作用。這種非導電膠內部主要以高分子樹(shù)脂體系為主,添加二氧化硅、氧化鋁、氮化硅等填料來(lái)提升材料的導熱性和絕緣性。非導電膠在實(shí)際使用的過(guò)程中可以通過(guò)點(diǎn)膠、絲網(wǎng)印刷等方式進(jìn)行使用,然后通過(guò)加熱完成樹(shù)脂體系固化之后將芯片與基材焊接在一起。


導電連接


芯片封裝中還有一種是要形成牢固的、傳導性的連接方法,即導電互聯(lián)。導電互聯(lián)的方式也很多種,如導電膠連接、金屬連接等。


導電膠連接


導電膠是指在高分子樹(shù)脂粘合劑中添加了導電的金屬顆粒來(lái)實(shí)現其導通功能。在這中高分材料中,環(huán)氧樹(shù)脂是最經(jīng)常使用的。環(huán)氧樹(shù)脂是穩定的線(xiàn)性聚合物,在加入固化劑后,環(huán)氧基打開(kāi)形成羥基并交鏈,從而由線(xiàn)性聚合物交鏈成網(wǎng)狀結構而固化成熱固性塑料。其過(guò)程由液體或粘稠液→凝膠化→固體。固化的條件主要由固化劑種類(lèi)的選擇來(lái)決定。而其中摻雜的金屬含量決定了其導電、導熱性能的好壞。

導電銀漿是當前更流行的芯片粘貼方法之一,它所需的固化溫度低,這可以避免熱應力,但有銀遷移的缺點(diǎn)。導電膠因其操作過(guò)程中載體不須加熱,設備簡(jiǎn)單,易于實(shí)現工藝自動(dòng)化操作且經(jīng)濟實(shí)惠而得到廣泛應用,尤其在集成電路和小功率器件中應用更為廣泛。但是使用導電膠的器件熱阻和電阻都很高。樹(shù)脂在高溫下容易分解,有可能發(fā)生填料的析出,在粘貼面上只留下一層樹(shù)脂使該處電阻增大。因此它不適于要求在高溫下工作或需低電阻的器件。另外,導電銀膠的機械強度遠不如共晶焊接強度大。


共晶焊接


共晶焊又稱(chēng)低熔點(diǎn)合金焊接。共晶合金的基本特性是:兩種不同的金屬可在遠低于各自的熔點(diǎn)溫度下按一定重量比例形成合金。在微電子器件中最常用的共晶焊是把硅芯片焊到鍍金的底座或引線(xiàn)框上去,即“金-硅共晶焊”。眾所周知,金的熔點(diǎn)1063℃,而硅的熔點(diǎn)更高,為1414℃。但是如果按照重量比為2.85 %的硅和97.15%的金組合,就能形成熔點(diǎn)為 363 ℃的共晶合金體。這就是金硅共晶焊的理論基礎。

 金-硅共晶焊的焊接過(guò)程是指在—定的溫度(高于363 ℃ )和一定的壓力下,將硅芯片在鍍金的底座上輕輕揉動(dòng)摩擦,擦去界面不穩定的氧化層,使接觸表面之間熔化,由二個(gè)固相形成—個(gè)液相。冷卻后,當溫度低于金硅共熔點(diǎn)(363 ℃ )時(shí),由液相形成的晶粒形式互相結合成機械混合物金-硅共镕晶體,從而使硅芯片牢固地焊接在底座上,并形成良好的低阻歐姆接觸。

共晶焊的金屬種類(lèi)對連接影響很大,目前主要可做工晶焊的合金為AuGe、AuSn、AuSi、SnIn、SnAg等等,其可使用真空/可控氣氛共晶爐設備來(lái)實(shí)現。其具有熱導率熬、電阻小、傳熱快、可靠性強,粘結后剪切力大的優(yōu)點(diǎn),適用于高頻、大功率器件中芯片與基板的焊接。對于散熱要求非常高的功率器件必須采用共晶焊接。


焊料連接


一般來(lái)說(shuō),焊接工藝中可以用焊料或者焊錫條進(jìn)行焊接。焊料一般是通過(guò)預涂錫膏,然后用回流的方式進(jìn)行焊接;而采用焊錫條則是進(jìn)行芯片放置后,然后同樣采用回流的方式加工。一般焊錫膏其中一般包括兩部分助焊劑和焊料的部分。助焊劑一般多使用由松香、樹(shù)脂等活性劑、添加劑和有機溶劑組成的松香樹(shù)脂體系,然后焊料部分多為金屬合金。錫膏按照成分可以含鉛錫膏和無(wú)鉛錫膏,而按照熔點(diǎn)分類(lèi),則可以分為高溫錫膏、低溫錫高和不銹鋼錫膏。其中無(wú)鉛錫膏用于綠色電子產(chǎn)品的組裝;而高溫錫膏則應用于功率器件的封裝焊接。

焊料的加工發(fā)生主要為熱壓焊和回流焊。其中熱壓焊是利用脈沖加熱回流焊接,將兩個(gè)預先上好了助焊劑、鍍了錫的零件加熱到足以使得錫融化的溫度,冷卻固化后,這兩個(gè)零件就通過(guò)固化的焊錫形成一個(gè)電氣機械連接。而回流焊由于采用不同的熱源,回流焊機有:熱板回流焊接、熱風(fēng)回流焊接、紅外回流焊接、紅外熱風(fēng)回流焊機、汽相回流焊機、激光回流焊機等,不同的加熱方式,其原理是不一樣的。


燒結銀/


燒結過(guò)程的驅動(dòng)力主要來(lái)自體系的表面自由能和提醒的缺陷能,系統中顆粒尺寸越小,其比表面積越大,從而表面能越高、驅動(dòng)力越大。外界對系統所施加的壓力、系統內的化學(xué)勢差及量接觸顆粒間的應力也是擴散的驅動(dòng)力。

以燒結銀為例,燒結得到的連接層為多孔性結構,空洞尺寸在微米及亞微米級別,連接層具有良好的導熱和導電性能,熱匹配性能良好。當連接層孔隙率為10%情況下,其導電及導熱能力可達到純銀的90%,遠高于普通的焊料。

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影響燒結質(zhì)量的因素是多方面的,其中燒結壓力、燒結溫度和燒結時(shí)間是主要影響因素。比有壓燒結相比,無(wú)壓燒結得到的燒結層孔隙率大,密度小,其導電性能、導熱性能及可靠性存在差距,更適合于小面積芯片和功率密度較低的封裝;燒結溫度中的有機部分一部分在100℃以下即可受熱揮發(fā)掉,另一部分需要在200-280℃下與氧氣反應燒蝕掉,有機成分會(huì )發(fā)蝕之后,銀顆粒之間才可以直接產(chǎn)生可靠的燒結層。增大燒結壓力、提高燒結溫度和延長(cháng)燒結時(shí)間有利于得到可靠的燒結層,但高溫高壓下芯片和延長(cháng)時(shí)間會(huì )降低生產(chǎn)效率。因此,需要根據燒結材料特性,優(yōu)化燒結壓力、燒結溫度和燒結時(shí)間的匹配,在保證連接層可靠性的前提下減少燒結壓力,降低燒結溫度,縮短燒結時(shí)間

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